小小的電子元器件看似微小，實(shí)則是很重要的組成部分之一。因?yàn)殡娮釉O(shè)備出現(xiàn)故障現(xiàn)象，很大一部分情況是由于電子元器件失效或損壞所導(dǎo)致。如此一來，檢測電子元器件成為很重要的事，那么對于電子元器件檢測經(jīng)驗(yàn)和技巧有哪些？

1．單向晶閘管檢測

可用萬用表的R×1k或R×100擋測量任意兩*之問的正、反向電阻，如果找到一對*的電阻為低阻值(100Ω～lkΩ)，則此時(shí)黑表筆所接的為控制*，紅表筆所接為陰*，另一個(gè)*為陽*。晶閘管共有3個(gè)PN結(jié)，我們可以通過測量PN結(jié)正、反向電阻的大小來判別它的好壞。測量控制*(G)與陰*[C)之間的電阻時(shí)，如果正、反向電阻均為零或無窮大，表明控制*短路或斷路；測量控制*(G)與陽*(A)之間的電阻時(shí)，正、反向電阻讀數(shù)均應(yīng)很大；測量陽*(A)與陰*(C)之間的電阻時(shí)，正、反向電阻都應(yīng)很大。

2．檢查發(fā)光數(shù)碼管的好壞

先將萬用表置R×10k或R×l00k擋，然后將紅表筆與數(shù)碼管(以共陰數(shù)碼管為例)的“地”引出端相連，黑表筆依次接數(shù)碼管其他引出端，七段均應(yīng)分別發(fā)光，否則說明數(shù)碼管損壞。

3．測整流電橋各腳的*性

萬用表置R×1k擋，黑表筆接橋堆的任意引腳，紅表筆先后測其余三只腳，如果讀數(shù)均為無窮大，則黑表筆所接為橋堆的輸出正*，如果讀數(shù)為4～10kΩ，則黑表筆所接引腳為橋堆的輸出負(fù)*，其余的兩引腳為橋堆的交流輸入端。

4．雙向晶閘管的*性識(shí)別

雙向晶閘管有主電*1、主電*2和控制*，如果用萬用表R×1k擋測量兩個(gè)主電*之間的電阻，讀數(shù)應(yīng)近似無窮大，而控制*與任一個(gè)主電*之間的正、反向電阻讀數(shù)只有幾十歐。根據(jù)這一特性，我們很容易通過測量電*之間電阻大小，識(shí)別出雙向晶閘管的控制*。而當(dāng)黑表筆接主電*1。紅表筆接控制*時(shí)所測得的正向電阻總是要比反向電阻小一些，據(jù)此我們也很容易通過測量電阻大小來識(shí)別主電*1和主電*2。

5．判斷晶振的好壞

先用萬用表(R×10k擋)測晶振兩端的電阻值，若為無窮大，說明晶振無短路或漏電；再將試電筆插入市電插孔內(nèi)，用手指捏住晶振的任一引腳，將另一引腳碰觸試電筆頂端的金屬部分，若試電筆氖泡發(fā)紅，說明晶振是好的；若氖泡不亮，則說明晶振損壞。

6．判別結(jié)型場效應(yīng)管的電*

將萬用表置于R×1k擋，用黑表筆接觸假定為柵*G的管腳，然后用紅表筆分別接觸另外兩個(gè)管腳，若阻值均比較小(5～10 Ω)，再將紅、黑表筆交換測量一次。如阻值均大(∞)，說明都是反向電阻(PN結(jié)反向)，屬N溝道管，且黑表筆接觸的管腳為柵*G，并說明原先假定是正確的。若再次測量的阻值均很小，說明是正向電阻，屬于P溝道場效應(yīng)管，黑表筆所接的也是柵*G。

若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換紅、黑表筆，按上述方法進(jìn)行測試，直至判斷出柵*為止。一般結(jié)型場效應(yīng)管的源*與漏*在制造時(shí)是對稱的，所以，當(dāng)柵*G確定以后，對于源*S、漏*D不一定要判別，因?yàn)檫@兩個(gè)*可以互換使用。源*與漏*之間的電阻為幾千歐。

7．三*管電*的判別

對于一只型號(hào)標(biāo)示不清或無標(biāo)志的三*管，要想分辨出它們的三個(gè)電*，也可用萬用表測試。先將萬用表量程開關(guān)撥在R×100或R×1k電阻擋上。紅表筆任意接觸三*管的一個(gè)電*，黑表筆依次接觸另外兩個(gè)電*，分別測量它們之間的電阻值，若測出均為幾百歐低電阻時(shí)，則紅表筆接觸的電*為基*b，此管為PNP管。若測出均為幾十至上百千歐的高電阻時(shí)，則紅表筆接觸的電*也為基*b，此管為NPN管。

在判別出管型和基*b的基礎(chǔ)上，利用三*管正向電流放大系數(shù)比反向電流放大系數(shù)大的原理確定集電*。任意假定一個(gè)電*為c*，另一個(gè)電*為e*。將萬用表量程開關(guān)撥在R×1k電阻擋上。對于：PNP管，令紅表筆接c*，黑表筆接e*，再用手同時(shí)捏一下管子的b、c*，但不能使b、c兩*直接相碰，測出某一阻值。然后兩表筆對調(diào)進(jìn)行第二次測量，將兩次測的電阻相比較，對于：PNP型管，阻值小的一次，紅表筆所接的電*為集電*。對于NPN型管阻值小的一次，黑表筆所接的電*為集電*。

8．電位器的好壞判別

先測電位器的標(biāo)稱阻值。用萬用表的歐姆擋測“1”、“3”兩端(設(shè)“2”端為活動(dòng)觸點(diǎn))，其讀數(shù)應(yīng)為電位器的標(biāo)稱值，如萬用表的指針不動(dòng)、阻值不動(dòng)或阻值相差很多，則表明該電位器已損壞。再檢查電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆擋測“1”、“2”或“2”、“3”兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針方向旋至接近“關(guān)”的位置，此時(shí)電阻應(yīng)越小越好，再徐徐順時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻應(yīng)逐漸增大，旋至*端位置時(shí)，阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。如在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動(dòng)過程中萬用表指針有跳動(dòng)瑚象，描踢活動(dòng)觸』點(diǎn)接觸不良。

9．激光二*管損壞判別

拆下激光二*管，測量其阻值，正常情況下反向阻值應(yīng)為無窮大，正向阻值在20kΩ～40kΩ。如果所測的正向阻值已超過50kΩ，說明激光二*管性能已下降；如果其正向阻值已超過90kΩ，說明該管已損壞，不能再使用了。

10．判別紅外接收頭引腳

萬用表置R×1k擋，先假設(shè)接收頭的某腳為接地端，將其與黑表筆相接，用紅表筆分別測量另兩腳電阻，對比兩次所測阻值(一般在4～7k Q范圍)，電阻較小的一次其紅表筆所接為+5V電源引腳，另一阻值較大的則為信號(hào)引腳。反之，若用紅表筆接已知地腳，黑表筆分別測已知電源腳及信號(hào)腳，則阻值都在15kΩ以上，阻值小的引腳為+5V端，阻值偏大的引腳為信號(hào)端。如果測量結(jié)果符合上述阻值則可判斷該接收頭完好。

11．判斷無符號(hào)電解電容*性

先將電容短路放電，再將兩引線做好A、B標(biāo)記，萬用表置R×100或R×1k擋，黑表筆接A引線，紅表筆接B引線，待指針靜止不動(dòng)后讀數(shù)，測完后短路放電；再將黑表筆接B引線，紅表筆接A引線，比較兩次讀數(shù)，阻值較大的一次黑表筆所接為正*，紅表筆所接為負(fù)*。

12．測發(fā)光二*管

取一個(gè)容量大于100“F的電解電容器(容量越大，現(xiàn)象越明顯)，先用萬用表R×100擋對其充電，黑表筆接電容正*，紅表筆接負(fù)*，充電完畢后，黑表筆改接電容負(fù)*，將被測發(fā)光二*管接于紅表筆和電容正*之間。如果發(fā)光二*管亮后逐漸熄滅，表明它是好的。此時(shí)紅表筆接的是發(fā)光二*管的負(fù)*，電容正*接的是發(fā)光二*管的正*。如果發(fā)光二*管不亮，將其兩端對調(diào)重新接上測試，還不亮，表明發(fā)光二*管已損壞。

13. 光電耦合器檢測

萬用表選用電阻R×100擋，不得選R×10k擋，以防電池電壓過高擊穿發(fā)光二*管。紅、黑表筆接輸入端，測正、反向電阻，正常時(shí)正向電阻為數(shù)十歐姆，反向電阻幾千歐至幾十千歐。若正、反向電阻相近，表明發(fā)光二*管已損壞。萬用表選電阻R×1擋。紅、黑表筆接輸出端，測正、反向電阻，正常時(shí)均接近于∞，否則受光管損壞。萬用表選電阻R×10擋，紅、黑表筆分別接輸入、輸出端測發(fā)光管與受光管之間的絕緣電阻(有條件應(yīng)用兆歐表測其絕緣電阻，此時(shí)兆歐表輸出額定電壓應(yīng)略低于被測光電耦合器所允許的耐壓值)，發(fā)光管與受光管問絕緣電阻正常應(yīng)為∞。

14．光敏電阻的檢測

檢測時(shí)將萬用表撥到R×1kΩ擋，把光敏電阻的受光面與入射光線保持垂直，于是在萬用表上直接測得的電阻就是亮阻。再把光敏電阻置于完全黑暗的場所，這時(shí)萬用表所測出的電阻就是暗阻。如果亮阻為幾千歐至幾十干歐，暗阻為幾至幾十兆歐，說明光敏電阻是好的。

15．測量大容量電容的漏電電阻

用500型萬用表置于R×10或R×100擋，待指針指向*大值時(shí)，再立即改用R×1k擋測量，指針會(huì)在較短時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定，從而讀出漏電電阻阻值。